AFM電磁學工（gōng）作模式及對應探針型號

PART.1

Conductive AFM 導電原（yuán）子力顯微鏡

Conductive AFM (cAFM) — 導（dǎo）電原子力顯微鏡（CAFM）是一種源自（zì）接觸AFM的二次成像模式，它表征了中到低導電和半導體（tǐ）材料的（de）導電率變化。CAFM的電流範圍為pA至μA。

PART.2

Tunneling AFM 峰值（zhí）力隧穿原子力顯微鏡
Tunneling AFM (TUNA) — 峰值力隧穿原子力顯微鏡（TUNA）的工作原理與導電AFM相似，但具（jù）有更高的靈敏度。TUNA表（biǎo）征了通過薄膜厚（hòu）度的超低電流（80fA和120pA之間）。TUNA模（mó）式可以（yǐ）在成像（xiàng）或光譜模式下運行。

PART.3

Scanning Capacitance Microscopy 掃描電容顯微鏡
Scanning Capacitance Microscopy (SCM) — 掃描電容顯微鏡（SCM）繪製了樣品表麵（通常是摻雜半導體）上大多數載流子濃度（dù）（電子或空穴）的（de）變化（huà）。SCM向樣本施加高頻（90 kHz）AC偏壓，並使用高頻（1 GHz）檢測器測量掃描樣本表麵時的局（jú）部樣本（běn）電容變（biàn）化。這些電容變化是半導體中多數載流子濃度（dù）的函數；因此（cǐ），相對載（zǎi）流子（zǐ）濃度（dù）可以（yǐ）映射在1016–1021 cm-3的範圍內。

Laser Diode Cross Section

PART.4

Piezo Response Microscopy 壓（yā）電力響應顯微（wēi）鏡
Piezo Response Microscopy (PFM) — 壓電（diàn）力響應顯微（wēi）鏡（PFM）是一種基於接觸模（mó）式的技術，可繪製樣品上的反向（xiàng）壓電效應。對樣品進行電刺激，並使用鎖（suǒ）定技術監測樣品的地形響應（yīng）。振幅和相位信息揭示了關於樣品上極化的強度和方向的信息。

PPLN PFM Data

PART.5

Electric Force Microscopy 靜電力顯微鏡
Electric Force Microscopy (EFM) — 靜電力顯微鏡（EFM）通（tōng）過導電探針測量樣品表麵上方的電（diàn）場梯度分布。表征樣（yàng）品表麵的靜電勢能，電荷分布及電荷運輸等。

Carbon black particles, 3 mm scan size

常用探針選型：